A D I 亚德诺 --全系列订

HMC424ALP3ETR是一款由Analog Devices Inc.（亚德诺半导体）生产的宽带、6位、砷化镓（GaAs）数字衰减器。以下是对该产品的详细介绍：

一、基本特性

类型：宽带6位数字衰减器

工艺：砷化镓（GaAs）工艺

衰减范围：以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围

衰减器位值：0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB

频率范围：0.1 GHz至13.0 GHz

封装：符合RoHS标准的紧凑型、3 mm × 3 mm、16引脚引脚架构芯片级封装（LFCSP）或16-VFQFN封装

二、性能参数

衰减精度：±0.2 dB + 4%的衰减状态（在指定频率范围内）

步长误差：典型值为±0.5 dB

插入损耗：典型值小于4 dB，在4 GHz时典型插入损耗为2.8 dB

输入线性度：高输入线性度，VEE = −3 V时具有高线性度

输入功率：

输入P0.1dB：22 dBm（典型值）

输入IP3：45 dBm（典型值）

高RF输入功率处理：25 dBm（最大值）

相对相位：低相对相位，典型值为30°（在6.0 GHz时）

电源电压：采用−3 V至−5 V单个负电源供电

控制接口：允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定，需要外部电平转换器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑（TTL）接口

三、设计特点

高精度：在宽频率范围内提供出色的衰减精度和步长控制。

低插入损耗：保持信号的完整性和强度，减少信号损失。

高输入线性度：能够承受较高的输入功率而不产生非线性失真。

小型封装：紧凑的封装尺寸使得HMC424ALP3ETR适用于空间受限的应用场景。

灵活的控制接口：允许用户通过并行控制输入对衰减状态进行编程设定，提供了灵活的控制方式。

四、应用领域

基站基础设施：用于移动通信基站的信号衰减和调节。

光纤和宽带通信：在光纤通信和宽带通信系统中用于信号幅度的调整。

微波和VSAT无线电：在微波通信和甚小孔径终端（VSAT）系统中用于信号的切换和衰减。

军事和太空：在军事通信、雷达和电子对抗系统中提供高性能的射频信号衰减。

测试仪器仪表：用于各种射频测试系统中，提供精确的射频信号衰减和控制。

综上所述，HMC424ALP3ETR是一款高性能、宽带、6位数字衰减器，适用于多种射频应用场景。