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IRLR024NTRPBF_INFINEON英飞凌_MOSFET
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IRLR024NTRPBF_INFINEON英飞凌_MOSFET

型号:IRLR024NTRPBF

品牌:INFINEON英飞凌

封装:TQFP144

批次:2427+ 

库存数量:40000 pcs(+可订货)

描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC

即刻询价  立享优惠  # 长期供货  合作共赢
    英飞凌(Infineon)的IRLR024NTRPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于HEXFET®系列,由中天科工半导体(深圳)有限公司特约分销代理现货销售。
    应用场景
    电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,用作功率开关,提高系统的效率和稳定性。
    电机控制:在电机驱动和控制系统中,用于PWM(脉宽调制)控制电路,提供高效的电流控制和转矩调节。
    照明系统:常用于LED驱动器中,确保LED灯具的稳定性和高效能。
    消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子设备中,用于电池管理和充电电路,提升设备的续航能力和充电速度。
    汽车电子:在汽车电子系统中,用于各种控制模块,如车身控制模块(BCM)和电机控制模块(MCM),提供可靠的电源管理和控制。

    规格参数
    制造商: Infineon
    产品种类: MOSFET
    REACH - SVHC:
    技术: Si
    安装风格: SMD/SMT
    封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
    晶体管极性: N-Channel
    通道数量: 1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压: 55 V
    Id-连续漏极电流: 17 A
    Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
    Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
    Qg-栅极电荷: 10 nC
    最小工作温度: - 55 C
    最大工作温度: + 175 C
    Pd-功率耗散: 38 W
    通道模式: Enhancement
    商标: Infineon Technologies
    配置: Single
    下降时间: 29 ns
    高度: 2.3 mm
    长度: 6.5 mm
    产品类型: MOSFETs
    上升时间: 74 ns
    包装数量:2000
    子类别: Transistors
    晶体管类型: 1 N-Channel
    类型: HEXFET Power MOSFET
    典型关闭延迟时间: 20 ns
    典型接通延迟时间: 7.1 ns
    宽度: 6.22 mm
    单位重量: 330 mg
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公司地址:深圳市福田区赛格广场大厦54楼5406-5406B

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