英飞凌(Infineon)的IRLR024NTRPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于HEXFET®系列,由中天科工半导体(深圳)有限公司特约分销代理现货销售。
应用场景
电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,用作功率开关,提高系统的效率和稳定性。
电机控制:在电机驱动和控制系统中,用于PWM(脉宽调制)控制电路,提供高效的电流控制和转矩调节。
照明系统:常用于LED驱动器中,确保LED灯具的稳定性和高效能。
消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子设备中,用于电池管理和充电电路,提升设备的续航能力和充电速度。
汽车电子:在汽车电子系统中,用于各种控制模块,如车身控制模块(BCM)和电机控制模块(MCM),提供可靠的电源管理和控制。
规格参数
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 29 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 74 ns
包装数量:2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7.1 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg