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ZVP3310FTA 是由 DIODES（美台）和 VBsemi（微碧半导体）等厂商生产的 P 沟道增强型 MOSFET，由中天科工半导体（深圳）有限公司特约分销代理现货销售。
具有以下详细特性和应用说明：

一、基本参数

类型：P 沟道增强型 MOSFET

封装：SOT-23-3

关键参数：

漏源电压 (Vdss)：100V

连续漏极电流 (Id)：75mA（DIODES 版本），1.5A（VBsemi 版本 ZVP3310FTA-VB）

漏源导通电阻 (Rds(on))：

DIODES 版本：20Ω @ 150mA, 10V

VBsemi 版本：500mΩ @ 10V, 0.5A

最大功率耗散 (Pd)：330mW（DIODES 版本），2W（VBsemi 版本）

栅源极阈值电压 (Vgs(th))：3.5V（DIODES 版本），-2.5V（VBsemi 版本）

二、特性与应用

特性：

高耐压（100V）和适中的电流能力，适用于多种电路。

低导通电阻（VBsemi 版本 Rds(on) 低至 500mΩ），提高效率。

工作温度范围广（-55℃ 至 +150℃），适应恶劣环境。

应用：

电源开关：用于低功耗电源管理系统，实现高效开关控制。

电源逆变器：提供可靠的逆变和控制功能。

LED 照明：适用于 LED 驱动电路，实现调光和控制。

电池管理系统：确保电池充放电过程的安全和高效。

DC-DC 转换器：在移动设备和便携式电子产品中提供高效的电源转换和调节。

三、版本差异

DIODES 版本：

适用于低电流应用（75mA）。

导通电阻较高（20Ω），适合对效率要求不高的场景。

VBsemi 版本 (ZVP3310FTA-VB)：

适用于高电流应用（1.5A）。

导通电阻极低（500mΩ），效率更高，适合对功耗敏感的场景。

四、使用建议

查阅数据手册：使用前请仔细查阅对应版本的数据手册，确保参数符合设计要求。

散热设计：由于最大功率耗散为 330mW（DIODES）或 2W（VBsemi），需根据实际应用进行散热设计。

驱动电路：确保栅极驱动电压在 -20V 至 +20V 范围内，避免损坏器件。

五、总结

ZVP3310FTA 是一款多功能的 P 沟道 MOSFET，适用于电源管理、逆变器、LED 照明、电池管理和 DC-DC 转换等多种应用。