IXYS产品IXFH22N65X2是一种Si N沟道 MOSFET，属于IXYS的HiperFET X2系列，由中天科工半导体（深圳）有限公司特约分销代理现货销售。
这款产品具有以下主要特点：
显著减小电阻和栅极电荷，降低损耗并提高操作效率。
包含增强型高速本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。
提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达120A（650V时）额定值。
典型应用包括直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
规格参数：
制造商:
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Qg-栅极电荷: 38 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 390 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: 650V Ultra Junction X2
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 8 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
包装数量：30/管
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
单位重量: 6 g
131-2899-0370
2881438908
xilinx@casi-ic.com
Elan Tsao
